氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880128477.0

申请日：

2008-10-14

公开(公告)号：

CN101999178A

公开(公告)日：

2011-03-30

发明(设计)人：

崔然祚

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134

代理人：

宋子良;李占平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101669890950 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801284770 申请公布日:20110330
2011-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101071488205 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801284770 申请日:20081014
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101476143161 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801284770 变更事项:申请人变更前权利人:艾普拉斯泰克株式会社变更后权利人:崔然祚变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121031
2011-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101069290A ,2007-11-07

[2]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

松山隆之 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

山本秀一郎 ;

小河淳 ;

石田真也 ;

神川刚 .

中国专利 :CN1816952A ,2006-08-09

[6]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

浦岛泰人 .

中国专利 :CN101138105A ,2008-03-05

[7]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李振燮 ;

金定燮 ;

李成淑 ;

朴泰荣 ;

孙哲守 .

中国专利 :CN103035804A ,2013-04-10

[8]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

崔熙石 .

中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13

[9]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔炳均 ;

李在拫 .

中国专利 :CN102194935A ,2011-09-21

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101027792A ,2007-08-29

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