氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480018816.1

申请日：

2004-06-18

公开(公告)号：

CN1816952A

公开(公告)日：

2006-08-09

发明(设计)人：

山本秀一郎小河淳石田真也神川刚

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[2]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

松山隆之 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

浦岛泰人 .

中国专利 :CN101138105A ,2008-03-05

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李振燮 ;

金定燮 ;

李成淑 ;

朴泰荣 ;

孙哲守 .

中国专利 :CN103035804A ,2013-04-10

[6]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

崔熙石 .

中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13

[7]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔然祚 .

中国专利 :CN101999178A ,2011-03-30

[8]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101027792A ,2007-08-29

[9]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101425556A ,2009-05-06

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

孙孝根 ;

李昔宪 .

中国专利 :CN101552315B ,2009-10-07

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