氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680007596.1

申请日：

2006-02-15

公开(公告)号：

CN101138105A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

浦岛泰人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-23	授权	授权
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101523802627 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006800075961 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130125
2008-03-05	公开	公开
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[2]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

松山隆之 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

山本秀一郎 ;

小河淳 ;

石田真也 ;

神川刚 .

中国专利 :CN1816952A ,2006-08-09

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李振燮 ;

金定燮 ;

李成淑 ;

朴泰荣 ;

孙哲守 .

中国专利 :CN103035804A ,2013-04-10

[6]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

崔熙石 .

中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13

[7]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔然祚 .

中国专利 :CN101999178A ,2011-03-30

[8]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔炳均 ;

李在拫 .

中国专利 :CN102194935A ,2011-09-21

[9]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101027792A ,2007-08-29

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101425556A ,2009-05-06

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