氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010599656.1

申请日：

2010-12-13

公开(公告)号：

CN102194935A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

崔炳均李在拫

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3312 H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;钟强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	授权	授权
2011-09-21	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141114045 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105996561 申请日:20101213

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

浦岛泰人 .

中国专利 :CN101138105A ,2008-03-05

[2]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔然祚 .

中国专利 :CN101999178A ,2011-03-30

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

大田丰 ;

大鹿嘉和 .

中国专利 :CN102349167B ,2012-02-08

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101069290A ,2007-11-07

[5]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[6]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

金昌台 ;

李泰熙 .

中国专利 :CN101939853A ,2011-01-05

[7]

氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P].

李庭旭 ;

田宪秀 ;

尹皙胡 ;

金柱成 .

中国专利 :CN101017869B ,2007-08-15

[8]

氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

石桥惠二 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101542760A ,2009-09-23

[9]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

松山隆之 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18

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