氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880000429.3

申请日：

2008-03-28

公开(公告)号：

CN101542760A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

秋田胜史京野孝史石桥惠二笠井仁

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2012-03-21	授权	授权
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080328 授权公告日:20120321 终止日期:20170328
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000721338 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008800004293 申请日:20080328

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN100466307C ,2006-07-12

[2]

氮化物半导体发光器件 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101371413A ,2009-02-18

[3]

氮化物半导体发光器件 [P].

朴英豪 ;

曹孝京 ;

柳承珍 ;

高建维 .

中国专利 :CN1630110A ,2005-06-22

[4]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[5]

氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101188262B ,2008-05-28

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499618B ,2009-08-05

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499619B ,2009-08-05

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101431141B ,2009-05-13

[10]

氮化物半导体发光器件 [P].

三好晃平 .

中国专利 :CN108140698B ,2018-06-08

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