氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780002674.3

申请日：

2007-01-17

公开(公告)号：

CN101371413A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

石桥明彦横川俊哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01L21205 H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-18	公开	公开
2010-12-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058192029 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2007800026743 公开日:20090218

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN100466307C ,2006-07-12

[2]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[3]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

[4]

氮化物半导体发光器件 [P].

三好晃平 .

中国专利 :CN108140698B ,2018-06-08

[5]

氮化物半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

金显炅 ;

高健维 ;

洪相寿 ;

李奎翰 ;

闵垘基 .

中国专利 :CN1913186A ,2007-02-14

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1426119A ,2003-06-25

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN102136673B ,2011-07-27

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN100568550C ,2006-06-21

[10]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN102044843A ,2011-05-04

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