氮化物半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010559244.5
申请日
2006-10-08
公开(公告)号
CN102044843A
公开(公告)日
2011-05-04
发明(设计)人
神川刚 川口佳伸
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01S5028
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
邱军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN102136673B ,2011-07-27
[2]
氮化物半导体发光器件及其制备方法 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN1945909A ,2007-04-11
[3]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
川口佳伸 ;
神川刚 .
中国专利 :CN101034727B ,2007-09-12
[4]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
石桥明彦 ;
横川俊哉 .
中国专利 :CN101371413A ,2009-02-18
[5]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN101499618B ,2009-08-05
[6]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN101499619B ,2009-08-05
[7]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
三好晃平 .
中国专利 :CN108140698B ,2018-06-08
[8]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
黄硕珉 ;
金显炅 ;
高健维 ;
洪相寿 ;
李奎翰 ;
闵垘基 .
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[9]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
李昔宪 .
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[10]
氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
麦华路巴武吕 ;
伊藤茂稔 .
中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03