氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480015949.3

申请日：

2004-10-13

公开(公告)号：

CN100466307C

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

李昔宪

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210809 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-07-12	公开	公开
2009-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101371413A ,2009-02-18

[2]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[3]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

[4]

氮化物半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

金显炅 ;

高健维 ;

洪相寿 ;

李奎翰 ;

闵垘基 .

中国专利 :CN1913186A ,2007-02-14

[5]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1426119A ,2003-06-25

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN100568550C ,2006-06-21

[8]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

[9]

氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

麦华路巴武吕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03

[10]

氮化物系半导体发光器件 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

足立真宽 ;

德山慎司 .

中国专利 :CN102150288A ,2011-08-10

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