半导体发光器件和氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810088422.3

申请日：

2008-03-26

公开(公告)号：

CN101276875B

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

驹田聪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101660481470 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008100884223 申请日:20080326 授权公告日:20101103 终止日期:20150326
2010-11-03	授权	授权
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

麦华路巴武吕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03

[2]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

[3]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[4]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09

[5]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN100568550C ,2006-06-21

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN100466307C ,2006-07-12

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1426119A ,2003-06-25

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101431141B ,2009-05-13

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101371413A ,2009-02-18

[10]

氮化物半导体发光器件 [P].

朴英豪 ;

曹孝京 ;

柳承珍 ;

高建维 .

中国专利 :CN1630110A ,2005-06-22

← 1 2 3 4 5 →