氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980158002.0

申请日：

2009-12-24

公开(公告)号：

CN102349167B

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

大田丰大鹿嘉和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	授权	授权
2012-02-08	公开	公开
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208128720 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2009801580020 申请日:20091224

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[2]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

浦岛泰人 .

中国专利 :CN101138105A ,2008-03-05

[3]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

崔熙石 .

中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔炳均 ;

李在拫 .

中国专利 :CN102194935A ,2011-09-21

[5]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101027791B ,2007-08-29

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

工藤广光 ;

只友一行 ;

冈川广明 ;

山田智雄 .

中国专利 :CN1993835A ,2007-07-04

[7]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

金昌台 ;

李泰熙 .

中国专利 :CN101939853A ,2011-01-05

[9]

氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法 [P].

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

石桥惠二 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101542760A ,2009-09-23

[10]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07

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