Ⅲ族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880125877.6

申请日：

2008-09-19

公开(公告)号：

CN101933167A

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

金昌台李泰熙南起炼

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058493402 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801258776 申请日:20080919
2010-12-29	公开	公开
2012-12-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101490775150 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801258776 申请公布日:20101229

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

朴仲绪 .

中国专利 :CN101359712B ,2009-02-04

[2]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

郑贤敏 ;

李泰熙 ;

崔炳均 ;

金贤锡 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101390225A ,2009-03-18

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

[6]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102217101A ,2011-10-12

[7]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

安贤睢 ;

金贤锡 .

中国专利 :CN102239575A ,2011-11-09

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101478021B ,2009-07-08

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN101404315A ,2009-04-08

[10]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102217103A ,2011-10-12

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