III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980135398.7

申请日：

2009-09-10

公开(公告)号：

CN102217100A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

朴恩铉全水根林在球

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-12	公开	公开
2013-09-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101662285176 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2009801353987 申请公布日:20111012
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143710878 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2009801353987 申请日:20090910

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

[2]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[6]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

渡边大志 ;

伊藤润 ;

浅见慎也 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1440578A ,2003-09-03

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

矢羽田孝辅 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102694101A ,2012-09-26

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN107026223A ,2017-08-08

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