III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110081872.1

申请日：

2011-03-29

公开(公告)号：

CN102208511A

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

奥野浩司宫崎敦嗣

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3314 H01L3316 H01L3322

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;吴鹏章

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140146924 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2011100818721 申请日:20110329
2013-10-23	授权	授权
2011-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[2]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

[6]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

渡边大志 ;

伊藤润 ;

浅见慎也 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1440578A ,2003-09-03

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104347769B ,2015-02-11

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