第III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210086827.X

申请日：

2012-03-28

公开(公告)号：

CN102738329A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

丰田优介奥野浩司西岛和树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;吴鹏章

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	公开	公开
2015-01-28	授权	授权
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101363526028 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201210086827X 申请日:20120328

共 50 条

[1]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104347769B ,2015-02-11

[2]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103682001B ,2014-03-26

[3]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[4]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103165802B ,2013-06-19

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

青木真登 ;

斋藤义树 .

中国专利 :CN104347771A ,2015-02-11

[8]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

河合隆 .

中国专利 :CN104465920A ,2015-03-25

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[10]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

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