第III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210541310.5

申请日：

2012-12-13

公开(公告)号：

CN103165802B

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

水谷浩一稻泽良平池本由平多井中伴之

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494125845 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2012105413105 申请日:20121213
2015-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[2]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[3]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[4]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104347769B ,2015-02-11

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103682001B ,2014-03-26

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

青木真登 ;

斋藤义树 .

中国专利 :CN104347771A ,2015-02-11

[8]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

河合隆 .

中国专利 :CN104465920A ,2015-03-25

[9]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[10]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

户谷真悟 .

中国专利 :CN105280778A ,2016-01-27

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