第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510415396.0

申请日：

2015-07-15

公开(公告)号：

CN105280778A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

户谷真悟

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-13	授权	授权
2016-01-27	公开	公开
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647684355 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2015104153960 申请日:20150715

共 50 条

[1]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103489999A ,2014-01-01

[2]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103515505A ,2014-01-15

[3]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[4]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103165802B ,2013-06-19

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

河合隆 .

中国专利 :CN104465920A ,2015-03-25

[6]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[7]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104051590A ,2014-09-17

[8]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

门胁嘉孝 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN104603961A ,2015-05-06

[9]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

青木真登 ;

五所野尾浩一 ;

和田聪 .

中国专利 :CN103325912B ,2013-09-25

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

← 1 2 3 4 5 →