第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380045538.8

申请日：

2013-08-30

公开(公告)号：

CN104603961A

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

门胁嘉孝丰田达宪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611560243 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2013800455388 申请日:20130830
2015-05-06	公开	公开
2017-08-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756764542 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2013800455388 申请公布日:20150506

共 50 条

[1]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[2]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

户谷真悟 .

中国专利 :CN105280778A ,2016-01-27

[3]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103489999A ,2014-01-01

[4]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104051590A ,2014-09-17

[5]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103515505A ,2014-01-15

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103165802B ,2013-06-19

[8]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[9]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN102637795A ,2012-08-15

[10]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN103682002A ,2014-03-26

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