第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310381669.5

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN103682002A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

奥野浩司宫崎敦嗣

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3322 H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-26	公开	公开
2016-05-18	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581687046 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013103816695 申请日:20130828

共 50 条

[1]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103996762A ,2014-08-20

[2]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

青山俊介 .

中国专利 :CN103178175B ,2013-06-26

[3]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103515505A ,2014-01-15

[4]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[5]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN102637795A ,2012-08-15

[6]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

户谷真悟 .

中国专利 :CN105280778A ,2016-01-27

[7]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[8]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102479899A ,2012-05-30

[9]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103489999A ,2014-01-01

[10]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104051590A ,2014-09-17

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