III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01812310.4

申请日：

2001-07-03

公开(公告)号：

CN1440578A

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

渡边大志伊藤润浅见慎也柴田直树

申请人：

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈长会

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-22	授权	授权
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-07-20	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20010703 授权公告日:20061122
2003-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[2]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

[6]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

矢羽田孝辅 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102694101A ,2012-09-26

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN107026223A ,2017-08-08

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