III族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210073046.7

申请日：

2012-03-19

公开(公告)号：

CN102694101A

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

户谷真悟矢羽田孝辅石黑雄也

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3346

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;董文国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	授权	授权
2012-09-26	公开	公开
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349733020 IPC(主分类):H01L 33/40 专利申请号:2012100730467 申请日:20120319

共 50 条

[1]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[2]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[4]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

渡边大志 ;

伊藤润 ;

浅见慎也 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1440578A ,2003-09-03

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