Ⅲ族氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980142327.X

申请日：

2009-10-07

公开(公告)号：

CN102217103A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

金昌台罗珉圭

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-12	公开	公开
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143711356 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:200980142327X 申请日:20091007
2013-10-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101665268222 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:200980142327X 申请公布日:20111012

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102217101A ,2011-10-12

[2]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

安贤睢 ;

金贤锡 .

中国专利 :CN102239575A ,2011-11-09

[3]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101478021B ,2009-07-08

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[5]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

织地学 ;

龟井宏二 ;

三木久幸 ;

松濑朗浩 .

中国专利 :CN101268562A ,2008-09-17

[6]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

李泰熙 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101933167A ,2010-12-29

[7]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

朴仲绪 .

中国专利 :CN101359712B ,2009-02-04

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

大矢昌辉 .

中国专利 :CN101019285A ,2007-08-15

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

郑贤敏 ;

李泰熙 ;

崔炳均 ;

金贤锡 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101390225A ,2009-03-18

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

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