Ⅲ族氮化物半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200680000556.4
申请日
2006-07-14
公开(公告)号
CN101019285A
公开(公告)日
2007-08-15
发明(设计)人
大矢昌辉
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01S522
IPC分类号
H01S5343
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
孙志湧;陆锦华
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
织地学 ;
龟井宏二 ;
三木久幸 ;
松濑朗浩 .
中国专利 :CN101268562A ,2008-09-17
[2]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
罗珉圭 .
中国专利 :CN102217101A ,2011-10-12
[3]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
安贤睢 ;
金贤锡 .
中国专利 :CN102239575A ,2011-11-09
[4]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
南起炼 .
中国专利 :CN101478021B ,2009-07-08
[5]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
罗珉圭 .
中国专利 :CN102217103A ,2011-10-12
[6]
III族氮化物半导体发光器件 [P]. 
朴恩铉 ;
全水根 ;
林在球 .
中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12
[7]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
李泰熙 ;
南起炼 .
中国专利 :CN101933167A ,2010-12-29
[8]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
朴仲绪 .
中国专利 :CN101359712B ,2009-02-04
[9]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
朴恩铉 ;
全水根 ;
林在球 .
中国专利 :CN101404315A ,2009-04-08
[10]
Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
郑贤敏 ;
李泰熙 ;
崔炳均 ;
金贤锡 ;
南起炼 .
中国专利 :CN101390225A ,2009-03-18