基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810097730.2

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101339969A

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

守山实希五所野尾浩一一杉太郎长谷川哲也

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-07	公开	公开
2013-03-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101553193179 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008100977302 申请公布日:20090107

共 50 条

[1]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[2]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

[3]

第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件 [P].

浅见慎也 ;

渡边大志 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1315199C ,2004-09-08

[4]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

矢岛孝义 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[8]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

河合隆 .

中国专利 :CN104465920A ,2015-03-25

[9]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104347769B ,2015-02-11

← 1 2 3 4 5 →