氮化镓基半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110259899.5

申请日：

2011-09-02

公开(公告)号：

CN102403347A

公开(公告)日：

2012-04-04

发明(设计)人：

李哉勋金基世

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L21335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101465344786 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011102598995 变更事项:申请人变更前:三星LED株式会社变更后:三星电子株式会社变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道
2017-03-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747738503 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011102598995 申请公布日:20120404
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503721906 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011102598995 申请日:20110902
2012-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[2]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[3]

电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李政烨 ;

鲜于文旭 ;

文彰烈 ;

朴用永 ;

梁佑荣 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN103094334A ,2013-05-08

[4]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

[5]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

卓泳助 ;

金在均 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 .

中国专利 :CN103489896B ,2014-01-01

[6]

氮化镓基半导体器件 [P].

小早川真人 ;

友泽秀喜 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100470857C ,2007-04-04

[7]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

中国专利 :CN113539808A ,2021-10-22

[8]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

[9]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

[10]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

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