氮化镓半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110389491.3

申请日：

2021-04-12

公开(公告)号：

CN113539808A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

笹冈千秋小岛淳恩田正一长屋正武原一都河口大祐

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈珊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210412
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

[2]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[3]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

[4]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[5]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403347A ,2012-04-04

[6]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN102751335A ,2012-10-24

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[8]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

卓泳助 ;

金在均 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 .

中国专利 :CN103489896B ,2014-01-01

[9]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316890A ,2017-11-03

[10]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316895A ,2017-11-03

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