氮化镓半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210216208.8

申请日：

2006-01-06

公开(公告)号：

CN102751335A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

朱廷刚布赖恩·S.·谢尔顿马莱克·K.·帕比兹马克·戈特弗里德刘琳蔺米兰·波弗里斯迪克迈克尔·墨菲理查德·A.·斯托尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L310304 H01L21329

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

杨勇;郑建晖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367520675 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2012102162088 申请日:20060106
2015-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101717244700 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2012102162088 申请公布日:20121024
2012-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN1870301A ,2006-11-29

[2]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[3]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

中国专利 :CN113539808A ,2021-10-22

[4]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

[7]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

卓泳助 ;

金在均 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 .

中国专利 :CN103489896B ,2014-01-01

[8]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[9]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

[10]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403347A ,2012-04-04

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