氮化镓半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020290078.2

申请日：

2020-03-10

公开(公告)号：

CN211529944U

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

姚卫刚

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2518 H01L2156 H01L21768 H01L2331 H01L2348

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司 44262

代理人：

薛飞飞;黄国豪

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其封装方法 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN111244074B ,2025-07-11

[2]

氮化镓半导体器件及其封装方法 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN111244074A ,2020-06-05

[3]

氮化镓半导体器件封装件 [P].

姚卫刚 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN213716885U ,2021-07-16

[4]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN213716905U ,2021-07-16

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN1870301A ,2006-11-29

← 1 2 3 4 5 →