氮化镓半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120651460.6

申请日：

2021-03-29

公开(公告)号：

CN215377414U

公开(公告)日：

2021-12-31

发明(设计)人：

李啓珍黄敬源

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市高新区金园二路39号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29201 H01L29207 H01L29778 H01L21335

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司 44262

代理人：

薛飞飞;黄国豪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

[2]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[3]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[4]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN213716905U ,2021-07-16

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

夏鑫 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

梁玉玉 ;

王哲力 .

中国专利 :CN222515484U ,2025-02-21

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606B ,2024-11-01

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199940U ,2019-08-02

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