氮化镓半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323354919.4

申请日：

2023-12-09

公开(公告)号：

CN222515484U

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

夏鑫叶念慈刘成梁玉玉王哲力

申请人：

厦门市三安集成电路有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼304-26

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/85

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

管自英

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[2]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[3]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[4]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN213716905U ,2021-07-16

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606B ,2024-11-01

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199940U ,2019-08-02

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