氮化镓半导体器件及其封装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010162714.8

申请日：

2020-03-10

公开(公告)号：

CN111244074A

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

姚卫刚

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2518 H01L2156 H01L21768 H01L2331 H01L2348

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司 44262

代理人：

薛飞飞;黄国豪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	公开	公开
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20200310

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其封装方法 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN111244074B ,2025-07-11

[2]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[3]

氮化镓半导体器件封装件 [P].

姚卫刚 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN213716885U ,2021-07-16

[4]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN1870301A ,2006-11-29

[6]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN102751335A ,2012-10-24

[7]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403347A ,2012-04-04

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

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