氮化镓半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610088655.4

申请日：

2006-01-06

公开(公告)号：

CN1870301A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

朱廷刚布赖恩·S.·谢尔顿马莱克·K.·帕比兹马克·戈特弗里德刘琳蔺米兰·波弗里斯迪克迈克尔·墨菲理查德·A.·斯托尔

申请人：

申请人地址：

美国新泽西

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-29	公开	公开
2011-08-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101176972752 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2006100886554 变更事项:申请人变更前权利人:威力士半导体公司变更后权利人:电力集成公司变更事项:地址变更前权利人:美国新泽西变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20110708
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-08	授权	授权
2016-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101648904995 IPC(主分类):H01L 29/872 专利号:ZL2006100886554 申请日:20060106 授权公告日:20120808 终止日期:20150106

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN102751335A ,2012-10-24

[2]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[3]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

[4]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

夏鑫 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

梁玉玉 ;

王哲力 .

中国专利 :CN222515484U ,2025-02-21

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN213716905U ,2021-07-16

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