氮化镓基电子器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011128395.5

申请日：

2020-10-20

公开(公告)号：

CN112259459A

公开(公告)日：

2021-01-22

发明(设计)人：

郭富强黄森王鑫华魏珂刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2128 H01L29778 H01L29423 H01L2945

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘歌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20201020
2021-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件 [P].

王蓉 ;

童小东 ;

张世勇 ;

徐建星 ;

郑鹏辉 ;

谭为 .

中国专利 :CN109494154A ,2019-03-19

[2]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

蔡文必 ;

孙希国 ;

刘胜厚 .

中国专利 :CN111883590A ,2020-11-03

[3]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

[4]

氮化镓基功率开关器件及其制作方法 [P].

康玄武 ;

刘新宇 ;

黄森 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106601798A ,2017-04-26

[5]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

李尚俊 .

中国专利 :CN107611174A ,2018-01-19

[6]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

王圣淳 ;

李金娟 ;

王建峰 .

中国专利 :CN120730768A ,2025-09-30

[7]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

郭小路 ;

周宇 ;

苏帅 ;

孙秀建 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115036220A ,2022-09-09

[8]

氮化镓功率电子器件制备方法和氮化镓功率电子器件 [P].

廖富达 ;

苗振林 ;

卢小杰 ;

任星霖 .

中国专利 :CN119673818A ,2025-03-21

[9]

抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 [P].

周武 ;

郑如定 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN101916769A ,2010-12-15

[10]

常关型氮化镓基器件及其制作方法 [P].

毛维 ;

王海永 ;

杨翠 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111863952A ,2020-10-30

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