氮化镓电子器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510896845.1

申请日：

2025-06-30

公开(公告)号：

CN120730768A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

王圣淳李金娟王建峰

申请人：

苏州纳维科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区东荡田巷1号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

贾艳洒

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250630

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

王圣淳 ;

李金娟 ;

徐琳 ;

王建峰 .

中国专利 :CN120769531A ,2025-10-10

[2]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

郭小路 ;

周宇 ;

苏帅 ;

孙秀建 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115036220A ,2022-09-09

[3]

氮化镓功率电子器件制备方法和氮化镓功率电子器件 [P].

廖富达 ;

苗振林 ;

卢小杰 ;

任星霖 .

中国专利 :CN119673818A ,2025-03-21

[4]

氮化镓基电子器件及其制作方法 [P].

郭富强 ;

黄森 ;

王鑫华 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN112259459A ,2021-01-22

[5]

一种氮化镓功率电子器件的制备方法及器件 [P].

刘新科 ;

蒋忠伟 ;

黄烨莹 ;

杨永凯 ;

林锦沛 ;

周杰 ;

黎晓华 ;

贺威 .

中国专利 :CN117577530A ,2024-02-20

[6]

提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件 [P].

王蓉 ;

童小东 ;

张世勇 ;

徐建星 ;

郑鹏辉 ;

谭为 .

中国专利 :CN109494154A ,2019-03-19

[7]

氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法 [P].

李国强 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231877B ,2018-06-29

[8]

氮化镓电子器件的检测方法和系统 [P].

曾畅 ;

黄云 ;

廖雪阳 ;

李汝冠 ;

来萍 ;

恩云飞 .

中国专利 :CN103884944A ,2014-06-25

[9]

基于氮化镓纳米线的电子器件 [P].

J.奥尔松 ;

M.比约克 .

中国专利 :CN104205294B ,2014-12-10

[10]

氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

林育赐 ;

李伟聪 ;

姜春亮 ;

梁志锦 .

中国专利 :CN120379296B ,2025-09-05

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