氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711287917.4

申请日：

2017-12-07

公开(公告)号：

CN108231877B

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

李国强刘智崑陈丁波万利军

申请人：

申请人地址：

511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	公开	公开
2022-05-24	授权	授权
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 申请日:20171207

共 50 条

[1]

氮化镓功率电子器件制备方法和氮化镓功率电子器件 [P].

廖富达 ;

苗振林 ;

卢小杰 ;

任星霖 .

中国专利 :CN119673818A ,2025-03-21

[2]

氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法 [P].

董志华 ;

王金延 ;

郝一龙 ;

文正 ;

王阳元 .

中国专利 :CN101369599A ,2009-02-18

[3]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

王圣淳 ;

李金娟 ;

王建峰 .

中国专利 :CN120730768A ,2025-09-30

[4]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

郭小路 ;

周宇 ;

苏帅 ;

孙秀建 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115036220A ,2022-09-09

[5]

一种氮化镓功率电子器件的制备方法及器件 [P].

刘新科 ;

蒋忠伟 ;

黄烨莹 ;

杨永凯 ;

林锦沛 ;

周杰 ;

黎晓华 ;

贺威 .

中国专利 :CN117577530A ,2024-02-20

[6]

具有低欧姆接触电阻的氮化镓器件 [P].

K·塔巴塔比 ;

W·E·霍克 ;

E·M·詹贝斯 ;

K·麦卡锡 .

中国专利 :CN104471713A ,2015-03-25

[7]

提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件 [P].

王蓉 ;

童小东 ;

张世勇 ;

徐建星 ;

郑鹏辉 ;

谭为 .

中国专利 :CN109494154A ,2019-03-19

[8]

氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法 [P].

刘智崑 ;

李国强 ;

陈丁波 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231565A ,2018-06-29

[9]

氮化镓电子器件的检测方法和系统 [P].

曾畅 ;

黄云 ;

廖雪阳 ;

李汝冠 ;

来萍 ;

恩云飞 .

中国专利 :CN103884944A ,2014-06-25

[10]

基于氮化镓纳米线的电子器件 [P].

J.奥尔松 ;

M.比约克 .

中国专利 :CN104205294B ,2014-12-10

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