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射频器件和用于制造射频器件的方法
被引:0
申请号
:
CN202210092263.4
申请日
:
2022-01-26
公开(公告)号
:
CN114843722A
公开(公告)日
:
2022-08-02
发明(设计)人
:
W·哈特纳
K·埃利安
T·厄尔德埃尔
C·盖斯勒
B·里德
R·M·沙勒
H·托伊斯
M·沃杰诺维斯基
申请人
:
申请人地址
:
德国诺伊比贝尔格
IPC主分类号
:
H01P106
IPC分类号
:
H01P1100
G01S702
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
闫昊
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-08-02
公开
公开
共 50 条
[1]
合成射频器件和用于制造该器件的方法
[P].
山川岳彦
论文数:
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0
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山川岳彦
;
中塚宏
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中塚宏
;
大西庆治
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大西庆治
.
中国专利
:CN1953175A
,2007-04-25
[2]
射频跨接器件和射频器件
[P].
P·纳多
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0
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0
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0
P·纳多
.
中国专利
:CN112886299A
,2021-06-01
[3]
射频器件管壳和射频封装器件
[P].
王振辉
论文数:
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0
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王振辉
;
王加大
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0
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王加大
.
中国专利
:CN217903105U
,2022-11-25
[4]
检查射频器件的方法以及射频器件
[P].
C·魏克曼
论文数:
0
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0
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C·魏克曼
.
中国专利
:CN114144686A
,2022-03-04
[5]
射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法
[P].
肖阳
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
肖阳
;
尹立航
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
尹立航
;
洪亦芳
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
洪亦芳
;
邢娟
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
邢娟
;
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机构:
邓旭光
;
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机构:
蔡勇
.
中国专利
:CN117878145B
,2025-03-21
[6]
射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法
[P].
肖阳
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
肖阳
;
尹立航
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
尹立航
;
洪亦芳
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
洪亦芳
;
邢娟
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
邢娟
;
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机构:
邓旭光
;
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机构:
蔡勇
.
中国专利
:CN117878145A
,2024-04-12
[7]
射频器件及其制造方法
[P].
杨琳
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海合谱微电子技术有限公司
上海合谱微电子技术有限公司
杨琳
.
中国专利
:CN118553772A
,2024-08-27
[8]
射频器件及其制造方法
[P].
杨琳
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海合谱微电子技术有限公司
上海合谱微电子技术有限公司
杨琳
.
中国专利
:CN118553772B
,2024-10-18
[9]
射频装置和所属的制造方法
[P].
W·哈特纳
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W·哈特纳
;
B·里德
论文数:
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B·里德
.
中国专利
:CN114080096A
,2022-02-22
[10]
用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件
[P].
祁金伟
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祁金伟
;
彭虎
论文数:
0
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0
彭虎
.
中国专利
:CN114335167A
,2022-04-12
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