射频器件和用于制造射频器件的方法

被引:0
申请号
CN202210092263.4
申请日
2022-01-26
公开(公告)号
CN114843722A
公开(公告)日
2022-08-02
发明(设计)人
W·哈特纳 K·埃利安 T·厄尔德埃尔 C·盖斯勒 B·里德 R·M·沙勒 H·托伊斯 M·沃杰诺维斯基
申请人
申请人地址
德国诺伊比贝尔格
IPC主分类号
H01P106
IPC分类号
H01P1100 G01S702
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
闫昊
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
合成射频器件和用于制造该器件的方法 [P]. 
山川岳彦 ;
中塚宏 ;
大西庆治 .
中国专利 :CN1953175A ,2007-04-25
[2]
射频跨接器件和射频器件 [P]. 
P·纳多 .
中国专利 :CN112886299A ,2021-06-01
[3]
射频器件管壳和射频封装器件 [P]. 
王振辉 ;
王加大 .
中国专利 :CN217903105U ,2022-11-25
[4]
检查射频器件的方法以及射频器件 [P]. 
C·魏克曼 .
中国专利 :CN114144686A ,2022-03-04
[5]
射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法 [P]. 
肖阳 ;
尹立航 ;
洪亦芳 ;
邢娟 ;
邓旭光 ;
蔡勇 .
中国专利 :CN117878145B ,2025-03-21
[6]
射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法 [P]. 
肖阳 ;
尹立航 ;
洪亦芳 ;
邢娟 ;
邓旭光 ;
蔡勇 .
中国专利 :CN117878145A ,2024-04-12
[7]
射频器件及其制造方法 [P]. 
杨琳 .
中国专利 :CN118553772A ,2024-08-27
[8]
射频器件及其制造方法 [P]. 
杨琳 .
中国专利 :CN118553772B ,2024-10-18
[9]
射频装置和所属的制造方法 [P]. 
W·哈特纳 ;
B·里德 .
中国专利 :CN114080096A ,2022-02-22
[10]
用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件 [P]. 
祁金伟 ;
彭虎 .
中国专利 :CN114335167A ,2022-04-12