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一种GaN HEMT器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202120810753.4
申请日：
2021-04-20
公开(公告)号：
CN214898452U
公开(公告)日：
2021-11-26
发明(设计)人：
倪炜江
申请人：
申请人地址：
241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L29423
H01L21335
代理机构：
芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107
代理人：
钟雪
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-26 | 授权 | 授权 |