共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种GaN HEMT器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411920163.1
申请日：
2024-12-25
公开(公告)号：
CN119384002B
公开(公告)日：
2025-05-16
发明(设计)人：
岳丹诚
张耀辉
张晓宇
申请人：
苏州华太电子技术股份有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D62/85
代理机构：
北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739
代理人：
宋珊珊
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
苏州市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-05-16 | 授权 | 授权 |
| 2025-01-28 | 公开 | 公开 |
| 2025-02-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241225 |