一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710457112.3

申请日：

2017-06-16

公开(公告)号：

CN107170809A

公开(公告)日：

2017-09-15

发明(设计)人：

倪炜江袁俊杨永江张敬伟李明山胡羽中

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2920 H01L21335 H01L29778

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

张宇锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-15	公开	公开
2017-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20170616

共 50 条

[1]

功率器件及其基于自对准工艺的制造方法 [P].

温正欣 ;

张振中 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

郑泽东 .

中国专利 :CN112164653A ,2021-01-01

[2]

一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN211480036U ,2020-09-11

[3]

GaNHEMT器件及其制造方法 [P].

陈雨雁 ;

周炳 ;

许新佳 ;

赵承杰 ;

夏凯 .

中国专利 :CN109712888A ,2019-05-03

[4]

一种基于自对准工艺的SiC MOSFET制造方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN105895511A ,2016-08-24

[5]

一种非自对准工艺形成的半导体器件及其方法 [P].

钟汇才 .

中国专利 :CN102931140B ,2013-02-13

[6]

一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法 [P].

林信南 ;

钟皓天 .

中国专利 :CN109727863A ,2019-05-07

[7]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946A ,2024-03-15

[8]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946B ,2024-10-11

[9]

自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件 [P].

杨柯 ;

孟繁新 ;

马克强 ;

李睿 ;

陆崟 ;

田绍据 ;

胡敏 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN119815848A ,2025-04-11

[10]

一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738158A ,2012-10-17

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