自对准沟槽器件的制备方法和自对准沟槽器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411944377.2

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

CN119815848A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

杨柯孟繁新马克强李睿陆崟田绍据胡敏蒋兴莉

申请人：

成都森未科技有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6栋4层401号

IPC主分类号：

H10D12/01

IPC分类号：

H10D12/00 H10D64/27

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

郭莲梅

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/01申请日:20241227

共 50 条

[1]

一种沟槽型SiC器件的自对准方法 [P].

邹芳 ;

韩超 ;

潘恩赐 ;

迟奔奔 ;

吴勇 .

中国专利 :CN117832076A ,2024-04-05

[2]

一种自对准沟槽栅结构IGBT的制备方法 [P].

胡强 ;

唐茂森 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068328A ,2022-02-18

[3]

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法 [P].

李海鸥 ;

康维华 ;

首照宇 ;

高喜 ;

丁志华 ;

莫如愚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

蒋行国 ;

翟江辉 ;

徐卫林 .

中国专利 :CN105428236A ,2016-03-23

[4]

沟槽器件及其制备方法 [P].

王世敏 ;

周微 ;

郭扬明 ;

李超成 .

中国专利 :CN119890134A ,2025-04-25

[5]

功率器件及其基于自对准工艺的制造方法 [P].

温正欣 ;

张振中 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

郑泽东 .

中国专利 :CN112164653A ,2021-01-01

[6]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946A ,2024-03-15

[7]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946B ,2024-10-11

[8]

一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法 [P].

罗安林 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118538599A ,2024-08-23

[9]

自对准接触孔屏蔽栅功率MOSFET器件的制造方法及形成的器件 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN111403292A ,2020-07-10

[10]

一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN211480036U ,2020-09-11

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