一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244090.X

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102738158A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

胡辉勇宋建军张鹤鸣宣荣喜李妤晨舒斌戴显英郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L218249

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	授权	授权
2013-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101476736753 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:201210244090X 申请日:20120716
2012-10-17	公开	公开
2021-07-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120716 授权公告日:20150930 终止日期:20200716

共 50 条

[1]

一种基于应变Si回型沟道工艺的应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

舒斌 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723331B ,2012-10-10

[2]

一种基于自对准工艺的应变SiGe垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102832217A ,2012-12-19

[3]

一种基于自对准工艺的平面应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738164A ,2012-10-17

[4]

一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738151A ,2012-10-17

[5]

一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

周春宇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738152B ,2012-10-17

[6]

一种应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

王斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723330A ,2012-10-10

[7]

一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王斌 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738177A ,2012-10-17

[8]

一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

李妤晨 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738162B ,2012-10-17

[9]

一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102916015A ,2013-02-06

[10]

一种应变Si垂直沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102842584B ,2012-12-26

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