一种应变Si垂直沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244427.7

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102842584B

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

王斌胡辉勇张鹤鸣王海栋宋建军舒斌宣荣喜郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

西安利泽明知识产权代理有限公司 61222

代理人：

段国刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	授权	授权
2015-11-25	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724272032 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102444277 变更事项:发明人变更前:张鹤鸣;王海栋;胡辉勇;宋建军;舒斌;宣荣喜;戴显英;郝跃变更后:王斌;胡辉勇;张鹤鸣;王海栋;宋建军;舒斌;宣荣喜;郝跃
2012-12-26	公开	公开
2022-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20120716 授权公告日:20160518 终止日期:20210716
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101426525495 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102444277 申请日:20120716

共 50 条

[1]

一种垂直沟道混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738154A ,2012-10-17

[2]

一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

吕懿 ;

王斌 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723341A ,2012-10-10

[3]

一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

吕懿 ;

舒斌 ;

王海栋 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800680A ,2012-11-28

[4]

一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

胡辉勇 ;

王海栋 ;

舒斌 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738175B ,2012-10-17

[5]

一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

周春宇 ;

吕懿 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738173A ,2012-10-17

[6]

一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102916015A ,2013-02-06

[7]

一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

胡辉勇 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723342B ,2012-10-10

[8]

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

王海栋 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800672A ,2012-11-28

[9]

一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

王斌 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

吕懿 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738174B ,2012-10-17

[10]

一种基于应变Si回型沟道工艺的应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

舒斌 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723331B ,2012-10-10

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