一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244722.2

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102916015A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

张鹤鸣王海栋胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌戴显英郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	公开	公开
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413726292 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102447222 申请日:20120716
2016-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101677696124 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2012102447222 申请日:20120716 授权公告日:20141231 终止日期:20150716
2014-12-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

舒斌 ;

李妤晨 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738157B ,2012-10-17

[2]

一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738151A ,2012-10-17

[3]

一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

周春宇 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102790052A ,2012-11-21

[4]

一种应变Si垂直沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102842584B ,2012-12-26

[5]

一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

吕懿 ;

李妤晨 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751278B ,2012-10-24

[6]

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

王海栋 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800672A ,2012-11-28

[7]

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738149A ,2012-10-17

[8]

一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800681B ,2012-11-28

[9]

一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

吕懿 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738153A ,2012-10-17

[10]

一种基于SOI衬底的应变SiGe平面Si基BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738176A ,2012-10-17

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