一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210243770.X

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102738157B

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军王海栋舒斌李妤晨郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L218249

代理机构：

西安利泽明知识产权代理有限公司 61222

代理人：

段国刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	授权	授权
2013-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101476743735 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:201210243770X 申请日:20120716
2012-10-17	公开	公开
2021-08-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20210806 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院变更事项:地址变更前权利人:710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更后权利人:401332 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元

共 50 条

[1]

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

王海栋 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800672A ,2012-11-28

[2]

一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738151A ,2012-10-17

[3]

一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102916015A ,2013-02-06

[4]

一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

周春宇 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102790052A ,2012-11-21

[5]

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738149A ,2012-10-17

[6]

一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

吕懿 ;

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738153A ,2012-10-17

[7]

一种混合晶面应变Si应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751283B ,2012-10-24

[8]

一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751280A ,2012-10-24

[9]

一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751288A ,2012-10-24

[10]

一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

周春宇 ;

吕懿 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738173A ,2012-10-17

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