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一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210244461.4
申请日：
2012-07-16
公开(公告)号：
CN102800681B
公开(公告)日：
2012-11-28
发明(设计)人：
王斌 胡辉勇 张鹤鸣 周春宇 宋建军 王海栋 宣荣喜 郝跃
申请人：
申请人地址：
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L2184
代理机构：
西安利泽明知识产权代理有限公司 61222
代理人：
段国刚
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-12-09 著录事项变更 著录事项变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724817587 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102444614 变更事项:发明人 变更前:张鹤鸣;周春宇;宋建军;胡辉勇;王海栋;宣荣喜;李妤晨;郝跃 变更后:王斌;胡辉勇;张鹤鸣;周春宇;宋建军;王海栋;宣荣喜;郝跃
2022-06-28 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20120716 授权公告日:20160224 终止日期:20210716
2016-02-24 授权 授权
2012-11-28 公开 公开
2013-03-06 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101405722677 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102444614 申请日:20120716
共 50 条
[1]
一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
胡辉勇 ;
张鹤鸣 ;
宋建军 ;
周春宇 ;
舒斌 ;
宣荣喜 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102751288A ,2012-10-24
[2]
一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
胡辉勇 ;
宋建军 ;
李妤晨 ;
张鹤鸣 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102723337A ,2012-10-10
[3]
一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
宋建军 ;
胡辉勇 ;
周春宇 ;
吕懿 ;
张鹤鸣 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102738173A ,2012-10-17
[4]
一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
宋建军 ;
张鹤鸣 ;
吕懿 ;
李妤晨 ;
胡辉勇 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102751278B ,2012-10-24
[5]
一种双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
张鹤鸣 ;
周春宇 ;
宋建军 ;
宣荣喜 ;
胡辉勇 ;
舒斌 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102723338A ,2012-10-10
[6]
一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
胡辉勇 ;
张鹤鸣 ;
宋建军 ;
王海栋 ;
舒斌 ;
宣荣喜 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102738149A ,2012-10-17
[7]
一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
张鹤鸣 ;
王海栋 ;
胡辉勇 ;
宋建军 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102916015A ,2013-02-06
[8]
一种基于SOI衬底的双应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
张鹤鸣 ;
周春宇 ;
宋建军 ;
舒斌 ;
胡辉勇 ;
宣荣喜 ;
戴显英 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102810544B ,2012-12-05
[9]
一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
胡辉勇 ;
宋建军 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
张鹤鸣 ;
李妤晨 ;
吕懿 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102751280A ,2012-10-24
[10]
SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P]. 
宋建军 ;
胡辉勇 ;
舒斌 ;
张鹤鸣 ;
宣荣喜 ;
李妤晨 ;
吕懿 ;
郝跃 .
中国专利 :CN102723339A ,2012-10-10
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