一种低栅极漏电p-GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510705870.7

申请日：

2025-05-29

公开(公告)号：

CN120435030A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

杨凌侯斌贾茂张濛武玫宓珉瀚芦浩马晓华郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

勾慧敏

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	公开	公开
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250529

共 50 条

[1]

一种基于PIN结的低栅极漏电p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

侯斌 ;

贾茂 ;

杨凌 ;

张濛 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

卢阳 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120417433A ,2025-08-01

[2]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[3]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509B ,2025-03-21

[4]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509A ,2024-12-17

[5]

降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法 [P].

施媛媛 ;

张敏 ;

倪志龙 ;

王彪 .

中国专利 :CN113363320A ,2021-09-07

[6]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[7]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[8]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986A ,2025-10-21

[9]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986B ,2025-12-23

[10]

一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法 [P].

吴义针 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120812984A ,2025-10-17

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