一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511298484.7

申请日：

2025-09-11

公开(公告)号：

CN120812984A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

吴义针麻胜恒汪连山陈福鑫赵柏聿

申请人：

中科（深圳）无线半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/00 H10D64/66

代理机构：

成都众恒智合知识产权代理有限公司 51239

代理人：

朱杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250911
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[2]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[3]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[4]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[5]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[6]

一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

吴勇 ;

陆俊 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111564490B ,2020-08-21

[7]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

[8]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986A ,2025-10-21

[9]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986B ,2025-12-23

[10]

一种低栅极漏电p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

杨凌 ;

侯斌 ;

贾茂 ;

张濛 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

芦浩 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120435030A ,2025-08-05

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