p-GaN超薄栅极层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510448903.4

申请日：

2025-04-10

公开(公告)号：

CN120264834A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

向家富殷凯钟怡艺

申请人：

珠海新业电子科技有限公司

申请人地址：

519000 广东省珠海市斗门区井岸镇新青工业园洋青街12号西1、2、3楼（建泰PCB产业园6号厂房西1、2、3楼）

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/815 C23C16/50 C23C16/34 C30B25/18 C30B29/40 C30B33/08 C30B33/00

代理机构：

深圳卓瀚知识产权代理有限公司 441109

代理人：

苏登

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省珠海市

引用

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共 50 条

[1]

具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法 [P].

曹艳荣 ;

张微微 ;

苏硕 ;

张芝贤 ;

李苗芬 ;

吕玲 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120751724A ,2025-10-03

[2]

具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法 [P].

陈龙 ;

程静云 ;

商延卫 ;

马旺 ;

陈祖尧 ;

袁理 .

中国专利 :CN113113480A ,2021-07-13

[3]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[4]

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王冲 ;

李嘉卯 ;

马晓华 ;

李昂 ;

刘凯 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117352547A ,2024-01-05

[5]

一种低栅极漏电p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

杨凌 ;

侯斌 ;

贾茂 ;

张濛 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

芦浩 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120435030A ,2025-08-05

[6]

叠层栅介质p-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

戴祖匡 ;

谢子敬 .

中国专利 :CN120640724A ,2025-09-12

[7]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[8]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[9]

一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法 [P].

任青华 ;

刘宇熙 ;

刘鑫 ;

丁泽新 ;

张国明 ;

钱青楠 ;

周群辉 .

中国专利 :CN118841444A ,2024-10-25

[10]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680A ,2022-12-13

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250410
2025-11-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H10D 64/01申请公布日:20250704
2025-07-04	公开	公开