具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110064300.2

申请日：

2011-03-17

公开(公告)号：

CN102157640A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

李璟王国宏魏同波张杨孔庆峰

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3324 H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113911279 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100643002 申请日:20110317
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

宋超 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN102709426A ,2012-10-03

[2]

具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

李鸿渐 ;

张溢 .

中国专利 :CN102790153A ,2012-11-21

[3]

一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 [P].

何安和 ;

章勇 ;

何苗 ;

范广涵 .

中国专利 :CN101702419A ,2010-05-05

[4]

低损伤GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

孔庆峰 ;

詹腾 .

中国专利 :CN103117338A ,2013-05-22

[5]

能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法 [P].

郝茂盛 ;

周健华 ;

张楠 ;

陈诚 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN101494272B ,2009-07-29

[6]

一种GaN基LED芯片表面粗化的方法 [P].

王钢 ;

陈义廷 ;

范冰丰 ;

招瑜 .

中国专利 :CN104319328A ,2015-01-28

[7]

提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN103165780A ,2013-06-19

[8]

具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 .

中国专利 :CN102790154B ,2012-11-21

[9]

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 [P].

徐海龙 .

中国专利 :CN103824914B ,2014-05-28

[10]

一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法 [P].

陈明飞 ;

刘永成 ;

王金科 ;

郭梓旋 .

中国专利 :CN112750929A ,2021-05-04

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