具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210281654.7

申请日：

2012-08-09

公开(公告)号：

CN102790153A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

李璟李鸿渐张溢

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	授权	授权
2012-11-21	公开	公开
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375919633 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012102816547 申请日:20120809

共 50 条

[1]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[2]

具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 .

中国专利 :CN102790154B ,2012-11-21

[3]

一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 [P].

何安和 ;

章勇 ;

何苗 ;

范广涵 .

中国专利 :CN101702419A ,2010-05-05

[4]

一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

宋超 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN102709426A ,2012-10-03

[5]

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 [P].

徐海龙 .

中国专利 :CN103824914B ,2014-05-28

[6]

一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法 [P].

陈明飞 ;

刘永成 ;

王金科 ;

郭梓旋 .

中国专利 :CN112750929A ,2021-05-04

[7]

用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法 [P].

吴奎 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

张逸韵 ;

李璟 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102694088A ,2012-09-26

[8]

一种GaN基LED芯片表面粗化的方法 [P].

王钢 ;

陈义廷 ;

范冰丰 ;

招瑜 .

中国专利 :CN104319328A ,2015-01-28

[9]

一种GaN基LED芯片的制作方法 [P].

陈顺平 ;

潘群峰 ;

曾晓强 ;

黄少华 .

中国专利 :CN102789976A ,2012-11-21

[10]

低损伤GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

孔庆峰 ;

詹腾 .

中国专利 :CN103117338A ,2013-05-22

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