一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910193476.0

申请日：

2009-10-30

公开(公告)号：

CN101702419A

公开(公告)日：

2010-05-05

发明(设计)人：

何安和章勇何苗范广涵

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3302 H01L3314 H01L3322 H01L3344

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	公开	公开
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003220545 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009101934760 申请日:20091030
2020-10-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20091030 授权公告日:20110706 终止日期:20191030

共 50 条

[1]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[2]

一种GaN基LED芯片表面粗化的方法 [P].

王钢 ;

陈义廷 ;

范冰丰 ;

招瑜 .

中国专利 :CN104319328A ,2015-01-28

[3]

能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法 [P].

郝茂盛 ;

周健华 ;

张楠 ;

陈诚 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN101494272B ,2009-07-29

[4]

具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

李鸿渐 ;

张溢 .

中国专利 :CN102790153A ,2012-11-21

[5]

一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

宋超 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN102709426A ,2012-10-03

[6]

具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 .

中国专利 :CN102790154B ,2012-11-21

[7]

具有钝化层粗化结构的GaN基LED芯片及其制备方法 [P].

王全新 ;

徐晓强 ;

彭璐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN105742441A ,2016-07-06

[8]

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 [P].

徐海龙 .

中国专利 :CN103824914B ,2014-05-28

[9]

一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片 [P].

杨为家 ;

吴质朴 ;

何畏 ;

陈强 .

中国专利 :CN207338421U ,2018-05-08

[10]

一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

张恒 ;

曲爽 ;

王成新 ;

徐现刚 ;

张雷 ;

郝霄鹏 .

中国专利 :CN105633232B ,2016-06-01

← 1 2 3 4 5 →